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단기적인 변동에도 불구하고 SiC는 더 높은 효율성, 더 낮은 손실 및 향상된 열 성능을 지원하는 차세대 전력 전자 장치에 가장 중요한 광대역 갭 반도체 재료 중 하나로 남아 있습니다.

일부 업계 기업이 구조 조정을 하고 있지만 여러 국제 기업은 SiC 생산 라인, 자동화 및 8인치 웨이퍼 용량에 지속적으로 막대한 투자를 하고 있습니다.
일본의 한 주요 반도체 제조업체는 최근 8인치 SiC 웨이퍼 처리 전용 신규 시설을 완공했습니다. 현대적인 공장에는 첨단 자동화가 통합되어 있으며 2027년경에 대량 생산이 시작될 것으로 예상됩니다. 이번 확장은 산업, 자동차, 재생 에너지 애플리케이션용 고신뢰성 SiC 전력 장치 부문에서 선두를 유지하려는 일본의 장기적인 의지를 반영합니다.
한국에서는 여러 회사가 SiC IP와 제조 기술을 통합하여 전용 SiC 파운드리 서비스를 제공하고 있습니다. 1,200V SiC MOSFET을 대상으로 하는 새로운 생산 라인은 향후 2년 이내에 증가할 것으로 예상됩니다. 이들 파운드리의 목표는 EV 트랙션 인버터, 산업용 모터 드라이브, 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템의 증가하는 수요를 충족하는 것입니다.
인도가 새로운 플레이어로 떠오르고 있습니다. 선도적인 반도체 스타트업이 국내 최초의 완전한 SiC 웨이퍼-장치 제조 시설 건설을 시작했습니다. 2027년에서 2028년 사이로 추정되는 완전 가동 시 이 팹은 연간 최대 60,000개의 SiC 웨이퍼를 생산하여 빠르게 성장하는 인도의 EV 및 재생 에너지 시장을 지원할 것입니다.
이러한 발전은 시장이 구조 조정을 겪고 있음에도 불구하고 글로벌 SiC 생산 능력이 여전히 증가하고 있음 을 보여줍니다.
수년 동안 EV 산업은 SiC 성장의 주요 동인이었습니다. 일부 지역에서 EV 판매가 둔화되면서 수요는 보다 다양한 애플리케이션으로 이동하고 있습니다.
태양광 인버터, 풍력 변환기 및 에너지 저장 시스템은 변환 효율을 높이고 시스템 크기를 줄이기 위해 SiC MOSFET을 채택하고 있습니다.
고전력 산업용 모터 드라이브는 스위칭 성능을 향상하고 열 발생을 줄이기 위해 SiC에 점점 더 의존하고 있습니다.
차세대 전원 공급 장치와 서버 전원 모듈은 더 높은 효율성과 더 낮은 에너지 비용을 달성하기 위해 SiC 장치로 마이그레이션되고 있습니다.
SiC는 400~800V 고속 충전 스테이션에서 중요한 역할을 하며 기존 실리콘 IGBT보다 뛰어난 열 안정성과 더 높은 전압 처리 기능을 제공합니다.
시장 조사 회사는 SiC 웨이퍼, SiC 전력 모듈 및 광대역 밴드갭 반도체 장치 의 장기적 성장이 강력할 것으로 예상하며, 글로벌 시장 가치는 향후 10년 동안 배가될 것으로 예상합니다.
SiC 채택의 가장 큰 장벽 중 하나는 비용이었습니다. 그러나 다음과 같은 몇 가지 추세가 가격을 낮추는 데 도움이 되고 있습니다.
8인치 SiC 웨이퍼 대량 도입
더 나은 결정 성장 수율 및 결함 제어
Raw Wafer 공급에서 글로벌 경쟁이 더욱 치열해짐
향상된 패키징 및 모듈 표준화
주요 제조업체 간의 수직적 통합
비용이 계속 하락함에 따라 SiC 전력 장치는 주류 산업 및 소비자 에너지 애플리케이션으로 확장될 것입니다.
전자 부품 생산자, 유통업체, OEM/ODM 공급업체에게 SiC 시장 변화는 새로운 전략적 기회를 제공합니다.
더 많은 기업에는 인덕터, 변압기, 전류 센서, EMI 구성 요소 및 전력 변환 모듈을 위한 탄력적인 공급 파트너가 필요할 것입니다.
이러한 시장에는 안정적인 장기 공급업체가 필요합니다. 이는 국제적으로 확장하려는 B2B 부품 제조업체에 이상적입니다.
인도와 동남아시아가 SiC 제조에 진출함에 따라 글로벌 조달 채널이 확대되고 국경 간 협력 기회도 늘어날 것입니다.
SiC 장치 설계가 더욱 표준화됨에 따라 지원 구성 요소(자기 구성 요소, EMC 솔루션, 전력 인덕터 등)도 이에 맞춰 발전해야 합니다.
SiC 산업은 둔화되는 것이 아니라 변화하고 있습니다. 단기적 과제로 인해 경쟁 환경이 재편되었지만 글로벌 투자, 다양한 애플리케이션, 지속적인 웨이퍼 기술 개선은 강력하고 안정적인 미래를 향하고 있습니다.
전자 부문의 B2B 제조업체들에게 지금은 SiC 중심의 전력 전자 동향에 맞춰 빠르게 성장하는 와이드 밴드갭 반도체 생태계에서 신뢰할 수 있는 파트너로 자리매김할 적기입니다.
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